MMSZ5260BT1G
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 43V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100nA @ 33V |
| Допустимые отклонения емкости | ±5% |
| Power - Max | 500mW |
| Impedance (Max) (Zzt) | 93 Ohm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOD-123 |
| Корпус | SOD-123 |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C |
| Product Change Notification | Wire Change 08/Jun/2009 |
| Tolerance | ±5% |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AD834JR | ANALOG DEVICES |
|
|
|||||
| AD834JR | ANALOG DEVICES |
|
|
|||||
| AD834JR |
|
|
||||||
| BTA08-600TWRG |
|
Симистор 8A 600V 5mA | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||
| BTA08-600TWRG |
|
Симистор 8A 600V 5mA | STMicroelectronics |
|
|
|||
| BTA08-600TWRG |
|
Симистор 8A 600V 5mA |
|
|
||||
 |
LTV815 |
|
Оптрон Дарлингтона 5kV 35V 80mA | LINEAR TECHNOLOGY |
|
|
||
|
|
LTV815 |
|
Оптрон Дарлингтона 5kV 35V 80mA | LITE-ON |
|
|
||
|
|
LTV815 |
|
Оптрон Дарлингтона 5kV 35V 80mA | LIT |
|
|
||
|
|
LTV815 |
|
Оптрон Дарлингтона 5kV 35V 80mA |
|
37.24 | |||
|
|
LTV815 |
|
Оптрон Дарлингтона 5kV 35V 80mA | ТАИЛАНД |
|
|
||
|
|
LTV815 |
|
Оптрон Дарлингтона 5kV 35V 80mA | 4-7 НЕДЕЛЬ | 371 |
|
||
| NSI45020AT1G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| NSI45020AT1G | ONS |
|
|
|||||
| NSI45020AT1G | 340 | 7.62 | ||||||
| NSI45020AT1G | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|||||
| NSI45020AT1G | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| NSI45020AT1G | 1 |
|
|
|||||
| NSI45020AT1G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 501 |
|
|||||
| АОТ165Б | ПРОТОН | 125 | 136.50 | |||||
| АОТ165Б | 80 | 97.52 | ||||||
| АОТ165Б | ПРОТОКОЛ | 171 | 157.50 | |||||
| АОТ165Б | 214 |
|
|
|||||
| АОТ165Б | 30 |
|
|
|||||
| АОТ165Б | 31 |
|
|
|||||
| АОТ165Б | 86 |
|
|
