MJD50G


Купить MJD50G ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
MJD50G TRANS POWER NPN 1A 400V DPAK TRANS POWER NPN 1A 400V DPAK
Версия для печати

Технические характеристики MJD50G

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypeNPN
Current - Collector (Ic) (Max)1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)400V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max)200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 300mA, 10V
Power - Max1.56W
Frequency - Transition10MHz
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусDPAK-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


MJD50G datasheet

zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход