J112
Транзистор FET N-К.35В 0.05A TO92
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 5mA @ 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | 35V |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 1V @ 1µA |
| Resistance - RDS(On) | 50 Ohm |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Корпус | TO-92-3 |
| Power - Max | 625mW |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC850C.215 | NXP |
|
|
|||||
| BC850C.215 | NEX-NXP |
|
|
|||||
| BC850C.215 |
|
|
||||||
| J175 | FAIR |
|
|
|||||
| J175 |
|
|
||||||
| J175 | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| J175 | FAIRCHILD | 32 |
|
|||||
| J175 | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||||
| J175 | ONS-FAIR |
|
|
|||||
| L/H SOH-DL3E | SAMSUNG |
|
|
|||||
| L/H SOH-DL3E | SAM |
|
|
|||||
| L/H SOH-DL3E |
|
|
||||||
| TIL111M | FAIR |
|
|
|||||
| TIL111M | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| TIL111M | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| TIL111M | Fairchild Optoelectronics Group |
|
|
|||||
| TIL111M | FSC |
|
|
|||||
| TIL111M |
|
|
||||||
| TIL111M | ONS |
|
|
|||||
| TIL111M | ONSEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| TIL111M | 4-7 НЕДЕЛЬ | 696 |
|
|||||
 |
 |
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | КРЕМНИЙ | 96 | 956.34 | |
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | 16 | 552.00 | ||
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | БРЯНСК | 173 | 1 312.50 | |
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | СИТ |
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А | RUS |
|
|
