IRFR9024NTRLPBF
|
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175 mOhm @ 6.6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 11A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V |
| Power - Max | 38W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
1206-1.0K 1% |
|
ЧИП - резистор 1кОм, 1%, 0.25Вт |
|
1.60 >100 шт. 0.80 |
||
| HP1-4-9M 0.125 10K |
|
16.80 | ||||||
| KAN0611-0431B 6X6X4.3 MM | 248 000 |
1.78 >100 шт. 0.89 |
||||||
| KAN0611-0431B 6X6X4.3 MM | RUICHI | 20 778 | 1.57 | |||||
| STM8S003F3P6 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| STM8S003F3P6 | 3 | 163.80 | ||||||
| STM8S003F3P6 | 3 | 163.80 | ||||||
| STM8S003F3P6 | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|||||
| STM8S003F3P6 | STMICROELECTR |
|
|
|||||
| STM8S003F3P6 | 1 |
|
|
|||||
| STM8S003F3P6 | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
|||||
 |
SWD-09 |
|
DPT |
|
|
|||
|
|
SWD-09 |
|
|
74.36 | ||||
|
|
SWD-09 |
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
|
|
SWD-09 |
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
|
|
SWD-09 |
|
КИТАЙ |
|
|
