IRF5850TRPBF
|
Версия для печати
| Power - Max | 960mW |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 320pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 5.4nC @ 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135 mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | Micro6™(TSOP-6) |
| Корпус | Micro6™(TSOP-6) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BQ24072RGTT | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| BQ24072RGTT | TEXAS |
|
|
|||||
| BQ24072RGTT |
|
|
||||||
| BQ24072RGTT | 4-7 НЕДЕЛЬ | 426 |
|
|||||
| LMC7660IMX | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| LMC7660IMX | NSC |
|
|
|||||
| LMC7660IMX | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| LMC7660IMX | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| LMC7660IMX | TEXAS |
|
|
|||||
| LMC7660IMX |
|
|
||||||
| LMC7660IMX |
|
|
||||||
| LMC7660IMX | 4-7 НЕДЕЛЬ | 303 |
|
