FQP9P25

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FQP9P25		643.52

Версия для печати

Технические характеристики FQP9P25

Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	620 mOhm @ 4.7A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	QFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9.4A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	38nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1180pF @ 25V
Power - Max	120W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FQP9P25 (P-канальные транзисторные модули)

250v P-channel Mosfet

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

FQP9P25 datasheet
565.86Kb
8стр.