BSZ900N20NS3G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BSZ900N20NS3G	3 552	3-4 недели Цена по запросу

MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON

Версия для печати

Технические характеристики BSZ900N20NS3G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	OptiMOS™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90 mOhm @ 7.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	15.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 30µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	11.6nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	920pF @ 100V
Power - Max	62.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-PowerTDFN
Корпус	PG-TSDSON-8 (3.3x3.3)

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.