Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | PNP |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5mA, 50mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 50mA, 10V |
Power - Max | 625mW |
Frequency - Transition | 200MHz |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
Корпус | TO-92-3 |
Product Change Notification | Fe Wire Change 12/Oct/2007 |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
ST MICROELECTRONICS
|
400
|
30.24
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
EIC
|
|
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
|
|
51.24
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
LITTELFUSE
|
732
|
37.82
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
BRIGHTKING
|
|
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
LITTELFUSE
|
666
|
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
MIG
|
|
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
JJM
|
|
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
HOTTECH
|
3 762
|
31.15
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
KOME
|
406
|
8.40
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
SUNTAN
|
666
|
21.82
|
|
|
|
1.5KE350CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт, 350в
|
SUNMATE
|
1 579
|
16.42
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DC COMPONENTS
|
5 469
|
5.05
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DIOTEC
|
11 880
|
4.09
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
КИТАЙ
|
952
|
3.10
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
МИНСК
|
2 052
|
4.20
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
|
6 280
|
1.13
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
HOTTECH
|
65 220
|
0.75
>1000 шт. 0.15
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
LGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CHINA
|
22 400
|
1.05
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CJ
|
4 604
|
2.14
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт
|
|
11
|
462.50
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFP460A |
|
Транзистор полевой N-MOS 500В 20A, 280Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
SFH6156-3T |
|
Оптопара (Транзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200% tвкл/выкл=3/2,3 мкс
|
VISHAY
|
7 812
|
20.80
|
|
|
|
SFH6156-3T |
|
Оптопара (Транзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200% tвкл/выкл=3/2,3 мкс
|
|
3 744
|
18.36
|
|
|
|
SFH6156-3T |
|
Оптопара (Транзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200% tвкл/выкл=3/2,3 мкс
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
SFH6156-3T |
|
Оптопара (Транзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200% tвкл/выкл=3/2,3 мкс
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SFH6156-3T |
|
Оптопара (Транзистор) Iпр макс=60 mA Uизол=5,3kV Uвых=70V CTR 100-200% tвкл/выкл=3/2,3 мкс
|
KLS
|
|
|
|
|
|
UC3825N |
|
Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
UC3825N |
|
Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В
|
|
|
305.96
|
|
|
|
UC3825N |
|
Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
UC3825N |
|
Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В
|
UNITRODE INTEGRATED CIRCUITS C
|
24
|
|
|
|
|
UC3825N |
|
Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
UC3825N |
|
Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
UC3825N |
|
Интегральная микросхема DIP-16, 1 МГц, 12-20В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
421
|
|
|