2N5551BU

Версия для печати

Технические характеристики 2N5551BU

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	200mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Power - Max	625mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус	TO-92-3
Product Change Notification	Fe Wire Change 12/Oct/2007

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
FW82801FB(SL8BZ)		INTEL
FW82801FB(SL8BZ)		INTEL
FW82801FB(SL8BZ)
FW82801FB(SL8BZ)		4-7 НЕДЕЛЬ	437
MC79L05ACDR	Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	TEXAS INSTRUMENTS
MC79L05ACDR	Стабилизатор напряжения -5V 0,1A		112	24.05
MC79L05ACDR	Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	TEXAS INSTRUMENTS	200
MC79L05ACDR	Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	TEXAS
MC79L05ACDR	Стабилизатор напряжения -5V 0,1A	4-7 НЕДЕЛЬ	211
RG82865G(SL743)		INTEL
RG82865G(SL743)		INTEL
RG82865G(SL743)
RG82865G(SL743)		4-7 НЕДЕЛЬ	85
SI3443DV	Hexfet power mosfets discrete p-channel	FAIR
SI3443DV	Hexfet power mosfets discrete p-channel	FAIRCHILD
SI3443DV	Hexfet power mosfets discrete p-channel	FAIRCHILD	2 003
SI3443DV	Hexfet power mosfets discrete p-channel	Fairchild Semiconductor
SI3443DV	Hexfet power mosfets discrete p-channel	International Rectifier
SI3443DV	Hexfet power mosfets discrete p-channel
SI3443DV	Hexfet power mosfets discrete p-channel	INTERNATIONAL RECTIFIER	168
SI3443DV	Hexfet power mosfets discrete p-channel	ONS
КТ361Б КРАСН.	Транзистор структуры PNP усилительный	ТОМСК
КТ361Б КРАСН.	Транзистор структуры PNP усилительный	НАЛЬЧИК
КТ361Б КРАСН.	Транзистор структуры PNP усилительный