Версия для печати
Технические характеристики IRF1405ZPBF

Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	75A
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.9 mOhm @ 75A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) @ Vgs	180nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	4780pF @ 25V
Power - Max	230W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		CA016M0220REF-0810		Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 16 В	YAGEO
		CA016M0220REF-0810		Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 16 В
		CA016M0220REF-0810		Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 16 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		CA016M0220REF-0810		Электролитический алюминиевый конденсатор 220 мкФ 16 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		FSMSM			TE Connectivity
		FSMSM			TYCO
		FSMSM
		FSMSM			TE
		MURS320T3G		Диод SMD SMD,3 A, 200 V, 35 NS	ON SEMICONDUCTOR	46	16.96
		MURS320T3G		Диод SMD SMD,3 A, 200 V, 35 NS	ONS
		MURS320T3G		Диод SMD SMD,3 A, 200 V, 35 NS	ON SEMICONDUCTOR	90
		MURS320T3G		Диод SMD SMD,3 A, 200 V, 35 NS		901	27.75
		MURS320T3G		Диод SMD SMD,3 A, 200 V, 35 NS	ONSEMICONDUCTOR
		MURS320T3G		Диод SMD SMD,3 A, 200 V, 35 NS	58
		RLB0914-331KL		Индуктивность 330μH 0,6A 8,7x12mm	BOURNS
		RLB0914-331KL		Индуктивность 330μH 0,6A 8,7x12mm			65.60
		ЛИСТ КПТД-2/1-0,18-150Х220			НОМАКОН
		ЛИСТ КПТД-2/1-0,18-150Х220					578.92

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"