Версия для печати
Технические характеристики IXDN609CI

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Конфигурация	Low-Side
Тип входа	Non-Inverting
Время задержки	40ns
Ток пиковое значение	9A
Число конфигураций	1
Число выходов	1
Напряжение питания	4.5 V ~ 35 V
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-5 Formed Leads
Корпус	TO-220-5

IXDN609CI datasheet

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Драйверы MOSFET (внешнее переключение)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BD139-16		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...		23	30.24
		BD139-16		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...	ST MICROELECTRONICS	480	16.53
		BD139-16		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...	STMicroelectronics
		BD139-16		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...	США
		BD139-16		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		BD139-16		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...	CDIL
		BD139-16		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...	INTEGRAL
		BD139-16		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...	STMICROELECTR
		BD139-16		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...	МИНСК
		BD139-16		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...	SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD	345	23.12
		BD139-16		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...	HOTTECH	168	6.75
		BD139-16		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...	WUXI XUYANG	9	25.30
		BD139-16		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...	SUNTAN	68	7.21
		BD139-16		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...	KLS
		BD139-16		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...	0.00
		BD139-16		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...	LUGUANG	489	13.37
		BD139-16		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...	KEEN SIDE
		BD139-16		Транзистор биполярный средней мощности NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, ...	XXW	3 818	6.88
		IRF1404PBF		Полевой транзистор N-Канальный 40V 162A 200W 0,004R	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF1404PBF		Полевой транзистор N-Канальный 40V 162A 200W 0,004R	INFINEON	14 400	74.39
		IRF1404PBF		Полевой транзистор N-Канальный 40V 162A 200W 0,004R		1 600	52.28
		IRF1404PBF		Полевой транзистор N-Канальный 40V 162A 200W 0,004R	INF (INFINEON)
		IRF1404PBF		Полевой транзистор N-Канальный 40V 162A 200W 0,004R	JSMICRO	11 200	74.39
		MIC4422YN			MICREL
		MIC4422YN					280.60
		MIC4422YN			Micrel Inc
		MIC4422YN			MCH/MCRL
		MIC4422YN			MICRO CHIP
		MIC4422YN			4-7 НЕДЕЛЬ
		TC4420EPA		Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	MICRO CHIP	8	187.58
		TC4420EPA		Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.			277.40
		TC4420EPA		Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	MICRO CHIP
		TC4420EPA		Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	Microchip Technology
		TC4420EPA		Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		TC4420EPA		Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		TC4420EPA		Микросхема. 1х драйвер MOSFET, 6A, 35нс макс.	4-7 НЕДЕЛЬ
		TC4422EPA		Микросхема 1 x МОП 9A DIP8	MICRO CHIP
		TC4422EPA		Микросхема 1 x МОП 9A DIP8	MICRO CHIP
		TC4422EPA		Микросхема 1 x МОП 9A DIP8	Microchip Technology
		TC4422EPA		Микросхема 1 x МОП 9A DIP8
		TC4422EPA		Микросхема 1 x МОП 9A DIP8	4-7 НЕДЕЛЬ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"