FDD6612A


30v n-channel powertrench mosfet

FDD6612A (заказ)
FDD6612A

Технические характеристики FDD6612A

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
СерияPowerTrench®
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
FET FeatureLogic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs20 mOhm @ 9.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C9.5A
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs9.4nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds660pF @ 15V
Power - Max1.3W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусTO-252
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru