H11G1M
Высоковольтный оптрон с составным фототранзистором
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
H11G1M (4-7 НЕДЕЛЬ) |
637 |
3-4 недели
Цена по запросу
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики H11G1M
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Isolation | 5300Vrms |
| Current Transfer Ratio (Min) | 500% @ 1mA |
| Напряжение выходное | 100V |
| Количество каналов | 1 |
| Корпус (размер) | 6-DIP |
| Тип монтажа | Выводной |
| Тип выхода | Darlington with Base |
| Vce Saturation (Max) | 1V |
| Current - DC Forward (If) | 60mA |
| Тип входа | DC |
| Output Type | Darlington with Base |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
H11G1M (Оптроны с составным транзистором)
Высоковольтный оптрон с составным фототранзистором
Производитель:
Fairchild Semiconductor
|
