| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | PowerTrench® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 5.3A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 528pF @ 15V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
| Product Change Notification | Cu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
DRB-15FA |
|
|
BM
|
123
|
70.29
|
|
|
|
|
DRB-15FA |
|
|
|
3 446
|
20.32
|
|
|
|
|
DRB-15FA |
|
|
CONNFLY
|
2
|
13.04
|
|
|
|
|
DRB-15FA |
|
|
NXU
|
|
|
|
|
|
|
DRB-15FA |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
DRB-15FA |
|
|
BB
|
|
|
|
|
|
|
DRB-15FA |
|
|
RUICHI
|
680
|
37.34
|
|
|
|
|
DRB-15FA |
|
|
KEEN SIDE
|
98
|
14.74
|
|
|
|
|
DRB-15FA |
|
|
3
|
|
|
|
|
|
 |
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
|
1 044
|
28.21
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
KBL04 |
|
Диодный мост 4А, 400В, KBL
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
KBL04 |
|
Диодный мост 4А, 400В, KBL
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
KBL04 |
|
Диодный мост 4А, 400В, KBL
|
|
|
64.00
|
|
|
|
|
KBL04 |
|
Диодный мост 4А, 400В, KBL
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
KBL04 |
|
Диодный мост 4А, 400В, KBL
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
KBL04 |
|
Диодный мост 4А, 400В, KBL
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
KBL04 |
|
Диодный мост 4А, 400В, KBL
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
KBL04 |
|
Диодный мост 4А, 400В, KBL
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
LM392N |
|
Операционный усилитель, регулятор напряжения
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM392N |
|
Операционный усилитель, регулятор напряжения
|
|
1
|
70.68
|
|
|
|
|
LM392N |
|
Операционный усилитель, регулятор напряжения
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM392N |
|
Операционный усилитель, регулятор напряжения
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
28
|
|
|
|
|
|
LM392N |
|
Операционный усилитель, регулятор напряжения
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM392N |
|
Операционный усилитель, регулятор напряжения
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
55
|
|
|
|
|
|
TLP124(F) |
|
|
Toshiba
|
|
|
|
|
|
|
TLP124(F) |
|
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
|
TLP124(F) |
|
|
TOS
|
|
|
|
|
|
|
TLP124(F) |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
