| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серия | PowerTrench® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 5.3A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 528pF @ 15V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
| Product Change Notification | Cu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
2KBP10 |
|
Диодный мост 1-фазный (2A, 1000V)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
2KBP10 |
|
Диодный мост 1-фазный (2A, 1000V)
|
EIC
|
|
|
|
|
|
|
2KBP10 |
|
Диодный мост 1-фазный (2A, 1000V)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
2KBP10 |
|
Диодный мост 1-фазный (2A, 1000V)
|
|
|
101.28
|
|
|
|
|
2KBP10 |
|
Диодный мост 1-фазный (2A, 1000V)
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
|
2KBP10 |
|
Диодный мост 1-фазный (2A, 1000V)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
|
2 184
|
27.75
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
L/H CXX1942 |
|
|
PIONEER
|
|
|
|
|
|
|
L/H CXX1942 |
|
|
|
|
3 769.20
|
|
|
|
|
LM2594M-ADJ |
|
ИМС 0.5A STEP DOWN SWITCHING REGULATOR
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM2594M-ADJ |
|
ИМС 0.5A STEP DOWN SWITCHING REGULATOR
|
|
|
267.04
|
|
|
|
|
LM2594M-ADJ |
|
ИМС 0.5A STEP DOWN SWITCHING REGULATOR
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM2594M-ADJ |
|
ИМС 0.5A STEP DOWN SWITCHING REGULATOR
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM2594M-ADJ |
|
ИМС 0.5A STEP DOWN SWITCHING REGULATOR
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
1
|
|
|
|
|
|
LM2594M-ADJ |
|
ИМС 0.5A STEP DOWN SWITCHING REGULATOR
|
YOUTAI
|
9 042
|
31.15
|
|
|
|
|
LM2594M-ADJ |
|
ИМС 0.5A STEP DOWN SWITCHING REGULATOR
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
|
LM2594M-ADJ |
|
ИМС 0.5A STEP DOWN SWITCHING REGULATOR
|
UMW
|
7 680
|
32.03
|
|
|
|
|
LM2594M-ADJ |
|
ИМС 0.5A STEP DOWN SWITCHING REGULATOR
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
424
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WINBOND
|
208
|
351.29
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WIN
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
|
|
141.80
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
1 257
|
|
|
Версия для печати
