4N38M


Высоковольтный фототранзисторный оптрон

Купить 4N38M ( ДОСТУПНО ПОД ЗАКАЗ )
4N38M
Версия для печати

Технические характеристики 4N38M

Количество каналов1
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Ток выходной / канал100mA
Voltage - Isolation5300Vrms
Напряжение выходное80V
Корпус (размер)6-DIP (0.320", 8.13mm)
Тип монтажаВыводной
Тип выходаTransistor with Base
Vce Saturation (Max)1V
Current - DC Forward (If)80mA
Тип входаDC
Current Transfer Ratio (Min)20% @ 2mA
Output TypeTransistor with Base
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

4N38M (Оптроны фототранзисторные)

Высоковольтный фототранзисторный оптрон

Производитель:
Fairchild Semiconductor

4N38M datasheet
224.3 Кб

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
  IRFP150NPBF Полевой транзистор N-Канальный 100V 42A 160W 0,036R TO247A   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
  IRFP150NPBF Полевой транзистор N-Канальный 100V 42A 160W 0,036R TO247A   INFINEON 81 203.05 
  IRFP150NPBF Полевой транзистор N-Канальный 100V 42A 160W 0,036R TO247A     300 61.65 
КТ117А Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА   КРИСТАЛЛ Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ117А Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА     Заказ радиодеталей 112.32 
КТ117А Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА   УЛЬЯНОВСК 208 360.40 
КТ117А Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА   ИСКРА Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ117А Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА   RUS Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ117А Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА   НПП УРЛЗ 56 599.26 
КТ646Б Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный     228 63.00 
КТ646Б Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный   КРЕМНИЙ 266 39.04 
КТ646Б Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный   МИНСК Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ646Б Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный   RUS Заказ радиодеталей цена радиодетали
КТ646Б Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный   ИНТЕГРАЛ 35 48.56 
    МЛТ - 0.125 ВТ 2.7 КОМ 5%       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    МЛТ - 1 ВТ 22 ОМ 5%       2 016 3.36 
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход