Версия для печати

FM8x0-B Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type Также в этом файле: FM830-B Производитель: Formosa MS //www.formosams.com M830B datasheet 72.8Kb 2стр.

КАТАЛОГ

 » 

ЭЛЕКТРО- И РАДИОИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ

 » 

МУЛЬТИМЕТРЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		DM0265R		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт	FAIR
		DM0265R		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт			134.00
		DM0265R		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт	1
		DM0265R		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт	4-7 НЕДЕЛЬ	622
		IRFB18N50KPBF		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (500V, 17A, 220W, 0.26R)	VISHAY	257	326.77
		IRFB18N50KPBF		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (500V, 17A, 220W, 0.26R)	Vishay/Siliconix
		IRFB18N50KPBF		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (500V, 17A, 220W, 0.26R)	VISHAY/IR
		IRFB18N50KPBF		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (500V, 17A, 220W, 0.26R)
		TDA7296		Усилитель низкой частоты DMOS, 2x30W (2x24V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x60W	ST MICROELECTRONICS
		TDA7296		Усилитель низкой частоты DMOS, 2x30W (2x24V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x60W		1	540.54
		TDA7296		Усилитель низкой частоты DMOS, 2x30W (2x24V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x60W	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TDA7296		Усилитель низкой частоты DMOS, 2x30W (2x24V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x60W	STMicroelectronics
		TDA7296		Усилитель низкой частоты DMOS, 2x30W (2x24V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x60W	ST MICROELECTRO
		TDA7296		Усилитель низкой частоты DMOS, 2x30W (2x24V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x60W	1
		TDA7296		Усилитель низкой частоты DMOS, 2x30W (2x24V/8 Ом), THD<0.5%, max 2x60W	4-7 НЕДЕЛЬ	270
		TE-78 220V 80W		Паяльник 220В, 80Вт			394.92
		ШУНТ-50А-75ШС1

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"