Версия для печати

FM8x0-B Chip Schottky Barrier Diodes - Silicon epitaxial planer type Также в этом файле: FM830-B Производитель: Formosa MS //www.formosams.com M830B datasheet 72.8Kb 2стр.

КАТАЛОГ

 » 

ЭЛЕКТРО- И РАДИОИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ПРИБОРЫ

 » 

МУЛЬТИМЕТРЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ECAP 100/25V 0611 105C		Электролитический алюминиевый радиальный конденсатор 100мкФ, 25В, 105С	JAMICON
		ECAP 100/25V 0611 105C		Электролитический алюминиевый радиальный конденсатор 100мкФ, 25В, 105С			8.00
		ECAP 100/25V 0611 105C		Электролитический алюминиевый радиальный конденсатор 100мкФ, 25В, 105С	JAM
		ECAP 100/25V 0611 105C		Электролитический алюминиевый радиальный конденсатор 100мкФ, 25В, 105С	JB
		DM0265R		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт	FAIR
		DM0265R		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт			134.00
		DM0265R		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт	1
		DM0265R		SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт	4-7 НЕДЕЛЬ	622
		IRFB18N50KPBF		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (500V, 17A, 220W, 0.26R)	VISHAY	210	302.02
		IRFB18N50KPBF		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (500V, 17A, 220W, 0.26R)	Vishay/Siliconix
		IRFB18N50KPBF		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (500V, 17A, 220W, 0.26R)	VISHAY/IR
		IRFB18N50KPBF		Транзистор полевой N-канальный MOSFET (500V, 17A, 220W, 0.26R)
		LG025M10K0BPF-2240		Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мФ 25 В	YAGEO
		LG025M10K0BPF-2240		Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мФ 25 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		LG025M10K0BPF-2240		Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мФ 25 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		PIC12F1840-I/P			Microchip Technology
		PIC12F1840-I/P			ТАИЛАНД
		PIC12F1840-I/P			MICRO CHIP
		PIC12F1840-I/P
		PIC12F1840-I/P			4-7 НЕДЕЛЬ	131

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"