2SK2508(F,T)
|
MOSFET N-CH 250V 13A SC-67 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 6.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 13A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1800pF @ 10V |
| Power - Max | 45W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | 2-10R1B |
| Корпус | TO-220NIS |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... |
|
904.00 | ||
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | ФИЛИППИНЫ |
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRG4PC50UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=55A@t=25C, Ic=27A@t=100C, ... | IR/VISHAY |
|
|
|
| RJH60F5DPQ | RENESAS |
|
|
|||||
| RJH60F5DPQ |
|
|
