|
Версия для печати
| Производитель | JAMICON CORPORATION |
| Допуск емкости | ±20% |
| Номинальное напряжение | 25 В |
| Емкость | 2200 мкФ |
| Срок службы | 2000 Ч |
| Размер корпуса | ф 13x26 |
| Рабочая температура | -55...105 °C |
| Wide Temperature Range | |
| Серия | TK |
| Корпус (размер) | Radial |
| Тип монтажа | Выводной |
| Тип | Электролитический алюминиевый |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт | INTERNATIONAL RECTIFIER | 368 | 93.66 | |
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт | 584 | 101.40 | ||
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт | ФИЛИППИНЫ |
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт | 1 |
|
|
|
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт | EVVO | 569 | 82.26 | |
|
|
|
IRFP064N |
|
Мощный N-канальный MOSFET транзистор N-MOSFET 55В, 110А, 200Вт | JSMICRO | 1 074 | 53.51 |