FDD8N50NZ

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FDD8N50NZ (ONS)	72	76.23

Версия для печати

Технические характеристики FDD8N50NZ

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.5A
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	850 mOhm @ 3.25A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	UniFET-II™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	735pF @ 25V
Power - Max	90W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.