|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
6N136 |
|
Одноканальный высокоскоростной оптрон
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
6N136 |
|
Одноканальный высокоскоростной оптрон
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
6N136 |
|
Одноканальный высокоскоростной оптрон
|
AVAGO
|
|
|
|
|
|
6N136 |
|
Одноканальный высокоскоростной оптрон
|
VISHAY
|
1 212
|
86.18
|
|
|
|
6N136 |
|
Одноканальный высокоскоростной оптрон
|
AGILENT TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
6N136 |
|
Одноканальный высокоскоростной оптрон
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
6N136 |
|
Одноканальный высокоскоростной оптрон
|
Lite-On Inc
|
|
|
|
|
|
6N136 |
|
Одноканальный высокоскоростной оптрон
|
Avago Technologies US Inc
|
|
|
|
|
|
6N136 |
|
Одноканальный высокоскоростной оптрон
|
Toshiba
|
52
|
79.38
|
|
|
|
6N136 |
|
Одноканальный высокоскоростной оптрон
|
FAIRCHILD
|
26
|
79.38
|
|
|
|
6N136 |
|
Одноканальный высокоскоростной оптрон
|
TOS
|
|
|
|
|
|
6N136 |
|
Одноканальный высокоскоростной оптрон
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
6N136 |
|
Одноканальный высокоскоростной оптрон
|
EVLT
|
|
|
|
|
|
6N136 |
|
Одноканальный высокоскоростной оптрон
|
EVL
|
|
|
|
|
|
6N136 |
|
Одноканальный высокоскоростной оптрон
|
VISHAY
|
16
|
|
|
|
|
6N136 |
|
Одноканальный высокоскоростной оптрон
|
LIT
|
1 087
|
30.30
|
|
|
|
6N136 |
|
Одноканальный высокоскоростной оптрон
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
6N136 |
|
Одноканальный высокоскоростной оптрон
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
6N136 |
|
Одноканальный высокоскоростной оптрон
|
|
1 270
|
23.08
|
|
|
|
6N136 |
|
Одноканальный высокоскоростной оптрон
|
FSC
|
|
|
|
|
|
6N136 |
|
Одноканальный высокоскоростной оптрон
|
QTC
|
|
|
|
|
|
6N136 |
|
Одноканальный высокоскоростной оптрон
|
FAIR/ONS
|
|
|
|
|
|
6N136 |
|
Одноканальный высокоскоростной оптрон
|
EVERLIGHT
|
312
|
25.96
|
|
|
|
6N136 |
|
Одноканальный высокоскоростной оптрон
|
CT-MICRO
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8535-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 512 bytes SRAM, 32x8 ...
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8535-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 512 bytes SRAM, 32x8 ...
|
|
27
|
448.33
|
|
|
|
ATMEGA8535-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 512 bytes SRAM, 32x8 ...
|
ATMEL CORPORATION
|
1 076
|
|
|
|
|
ATMEGA8535-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 512 bytes SRAM, 32x8 ...
|
США
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8535-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 512 bytes SRAM, 32x8 ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8535-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 512 bytes SRAM, 32x8 ...
|
ATMEL1
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8535-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 512 bytes SRAM, 32x8 ...
|
MICRO CHIP
|
1 720
|
579.35
|
|
|
|
ATMEGA8535-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 512 bytes SRAM, 32x8 ...
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
ATMEGA8535-16AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (8K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 512 bytes SRAM, 32x8 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
560
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
367 876
|
1.95
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
130 905
|
2.11
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
64 794
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
4.91
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
775 415
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
568
|
1.88
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
379 276
|
1.25
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
1
|
1.30
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
342
|
1.48
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
6 938
|
1.61
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
232 800
|
1.12
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 048 061
|
1.06
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
272 313
|
1.06
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
120 000
|
1.03
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
731 655
|
1.66
>100 шт. 0.83
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
22 944
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 710
|
1.68
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
|
|
13.24
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
HOTTECH
|
160 816
|
3.48
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
KLS
|
1 061
|
5.03
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
SUNTAN
|
64 800
|
6.70
|
|
|
|
IRLML2803 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET
|
KEENSIDE
|
17
|
4.21
|
|