|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DC COMPONENTS
|
5 665
|
2.81
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
400
|
8.69
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DIOTEC
|
3 608
|
3.58
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KEC AMERICA (USD)
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
|
12 047
|
1.10
>100 шт. 0.55
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
8
|
7.18
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
CJ
|
4
|
2.34
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
|
22 480
|
4.59
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
LGE
|
|
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
HOTTECH
|
792
|
9.69
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
YJ
|
66 372
|
9.91
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
1
|
|
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
SENOCN
|
8
|
7.26
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
SUNTAN
|
2 615
|
8.49
|
|
|
|
MUR460 |
|
Диод кремниевый для монтажа на плату в отв. 200В / 600В, 4A/125А, DO27
|
YANGZHOU YANGJIE
|
289
|
20.69
|
|
|
|
TL082CP |
|
Сдвоенный операционный усилитель универсальный , полевой выход, JFET, +-18V, 13В/мкс, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
266
|
37.80
|
|
|
|
TL082CP |
|
Сдвоенный операционный усилитель универсальный , полевой выход, JFET, +-18V, 13В/мкс, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
TL082CP |
|
Сдвоенный операционный усилитель универсальный , полевой выход, JFET, +-18V, 13В/мкс, ...
|
|
816
|
32.43
|
|
|
|
TL082CP |
|
Сдвоенный операционный усилитель универсальный , полевой выход, JFET, +-18V, 13В/мкс, ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL082CP |
|
Сдвоенный операционный усилитель универсальный , полевой выход, JFET, +-18V, 13В/мкс, ...
|
TEXAS
|
805
|
38.19
|
|
|
|
TL082CP |
|
Сдвоенный операционный усилитель универсальный , полевой выход, JFET, +-18V, 13В/мкс, ...
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
TL082CP |
|
Сдвоенный операционный усилитель универсальный , полевой выход, JFET, +-18V, 13В/мкс, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
284
|
|
|
|
|
ZTX653 |
|
Транзистор S-N 120В 2A 140МГц TO92
|
ZETEX
|
|
|
|
|
|
ZTX653 |
|
Транзистор S-N 120В 2A 140МГц TO92
|
ZTX
|
|
|
|
|
|
ZTX653 |
|
Транзистор S-N 120В 2A 140МГц TO92
|
|
|
310.52
|
|
|
|
ZTX653 |
|
Транзистор S-N 120В 2A 140МГц TO92
|
ZETEX
|
116
|
|
|
|
|
ZTX653 |
|
Транзистор S-N 120В 2A 140МГц TO92
|
Diodes/Zetex
|
|
|
|
|
|
ZTX653 |
|
Транзистор S-N 120В 2A 140МГц TO92
|
DI
|
|
|
|
|
|
ZTX653 |
|
Транзистор S-N 120В 2A 140МГц TO92
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
|
8 637
|
41.40
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
32
|
59.29
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
МИНСК
|
23 948
|
48.30
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
1 200
|
123.98
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|