Версия для печати
Технические характеристики BFG35
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 18V |
| Frequency - Transition | 4GHz |
| Power - Max | 1W |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 25 @ 100mA, 10V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.