IRF9333TRPBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF9333TRPBF (INFINEON)	583	51.26

Версия для печати

Технические характеристики IRF9333TRPBF

Gate Charge (Qg) @ Vgs	38nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 25µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	9.2A
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19.4 mOhm @ 9.2A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1110pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.