| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2РМГ30Б32Ш1Е2 |
|
|
|
4
|
7 714.30
|
|
|
|
2РМГ30Б32Ш1Е2 |
|
|
КОМ
|
|
|
|
|
|
2РМГ30Б32Ш1Е2 |
|
|
ЭЛЕКТРОСОЕДИНИТЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
2РМГ30Б32Ш1Е2 |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
|
ADV7179KCPZ-REEL |
|
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
ADV7179KCPZ-REEL |
|
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
ADV7179KCPZ-REEL |
|
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
LIS331HH |
|
3-осевой, ±6g/±12g/±24g, сверхмалопотребляющий датчик ускорения семейства nano с ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LIS331HH |
|
3-осевой, ±6g/±12g/±24g, сверхмалопотребляющий датчик ускорения семейства nano с ...
|
|
|
1 565.20
|
|
|
|
LIS331HH |
|
3-осевой, ±6g/±12g/±24g, сверхмалопотребляющий датчик ускорения семейства nano с ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
LIS331HH |
|
3-осевой, ±6g/±12g/±24g, сверхмалопотребляющий датчик ускорения семейства nano с ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LIS331HH |
|
3-осевой, ±6g/±12g/±24g, сверхмалопотребляющий датчик ускорения семейства nano с ...
|
МАЛЬТА
|
|
|
|
|
|
LIS331HH |
|
3-осевой, ±6g/±12g/±24g, сверхмалопотребляющий датчик ускорения семейства nano с ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
193
|
|
|
|
|
|
LM1117IMPX-3.3/NOPB |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
LM1117IMPX-3.3/NOPB |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM1117IMPX-3.3/NOPB |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM1117IMPX-3.3/NOPB |
|
|
National Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
LM1117IMPX-3.3/NOPB |
|
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
|
LM1117IMPX-3.3/NOPB |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
5 376
|
15.88
|
|
|
|
|
LM1117IMPX-3.3/NOPB |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM1117IMPX-3.3/NOPB |
|
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM1117IMPX-3.3/NOPB |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM1117IMPX-3.3/NOPB |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
792
|
|
|
|
|
|
LMH0024MAXNOPB |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LMH0024MAXNOPB |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
4
|
|
|