IRF5803D2PBF

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRF5803D2PBF (INFINEON)	1	37.20

Версия для печати

Технические характеристики IRF5803D2PBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	FETKY™
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	112 mOhm @ 3.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.4A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	37nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1110pF @ 25V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.