FDMS9600S
Dual n-channel powertrench mosfet
Версия для печати
Технические характеристики FDMS9600S
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PowerTrench® |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 12A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12A, 16A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1705pF @ 15V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-MLP, Power56 |
| Корпус | Power56 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
|
FDMS9600S (MOSFET)
Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
Производитель:
Fairchild Semiconductor
|
