IRF7488
Транзистор полевой SMD N-канальный 80В 6.3А
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29 mOhm @ 3.8A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 57nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1680pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF7488 (Дискретные сигналы) Hexfet Power Mosfet
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1210-B82422H150UHJ | EPCOS |
|
|
|||||
| 1210-B82422H150UHJ | TDK (EPCOS) |
|
|
|||||
| 2РМТ14КПН4Г1А1В | 12 | 2 760.00 | ||||||
| 2РМТ14КПН4Г1А1В | ЭЛЕКОН | 202 | 6 168.96 | |||||
| 2РМТ14КПН4Г1А1В | ИСЕТЬ |
|
|
|||||
| 2РМТ14КПН4Г1А1В | РОССИЯ |
|
|
|||||
| 2РМТ39Б45Ш2А1В |
|
|
||||||
| 2РМТ39Б45Ш2А1В | ЭЛЕКОН |
|
|
|||||
| 2РМТ39Б45Ш2А1В |
|
|
||||||
| 2Т215А-9 |
|
70.80 | ||||||
| 2Т215А-9 | ДАЛЕКС |
|
|
|||||
| IDC2-10F PITCH 2.00 MM | 7 675 | 10.28 | ||||||
| IDC2-10F PITCH 2.00 MM | RUICHI | 236 | 8.34 | |||||
| IDC2-10F PITCH 2.00 MM | КИТАЙ | 7 | 11.28 |
