STS10N3LH5

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STS10N3LH5 (ST MICROELECTRONICS SEMI.)	444	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики STS10N3LH5

FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	STripFET™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	21 mOhm @ 5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	4.6nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	475pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.