К73-11-0.22МКФ250В(10%)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
КД105Г КАПЛЯ		ТОМИЛИНО
КД205Б		СЗТП	8	89.79
КД205Б			369	49.19
КД205Б		ЗОНД
КД205Б		ИЗОТОП
КД205Б		ИРКУТСК
КД205Б		УДАЛЕНО
КД205Б		ИЖЕВСК
КД205Б		ИЗОТОН
КД205Б		САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КД212А	Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс		428	240.87
КД212А	Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	ФОТОН	3 116	21.20
КД212А	Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	САРАНСК
КД212А	Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	RUS
КД212А	Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
КД212А	Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	ELNEC
КД212А	Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	СЗТП
КД212А	Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	РОССИЯ
КТ630В		КРЕМНИЙ	80	437.25
КТ630В			10	324.03
КТ630В		ГРАВИТОН
КТ630В		БРЯНСК
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		374	33.12
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	800	32.79
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	1 607	38.16
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	RUS
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2159