К73-11-0.22МКФ250В(10%)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
КД105Г КАПЛЯ		ТОМИЛИНО
КД205Б		СЗТП	8	83.16
КД205Б			503	45.36
КД205Б		ЗОНД
КД205Б		ИЗОТОП
КД205Б		ИРКУТСК
КД205Б		УДАЛЕНО
КД205Б		ИЖЕВСК
КД205Б		ИЗОТОН
КД205Б		САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КД212А	Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс		876	236.93
КД212А	Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	ФОТОН	3 425	21.00
КД212А	Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	САРАНСК
КД212А	Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	RUS
КД212А	Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
КД212А	Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	ELNEC
КД212А	Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	СЗТП
КД212А	Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс	РОССИЯ
КТ630В		КРЕМНИЙ	80	404.46
КТ630В			10	298.62
КТ630В		ГРАВИТОН
КТ630В		БРЯНСК
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		335	33.12
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	532	28.35
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	2 271	37.80
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ	6	42.36
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	RUS
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР