2200МКФ10В(10X21)105°C

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BZV55-C3V3.115	Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	NXP
BZV55-C3V3.115	Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	NEX-NXP	1 832	1.13
BZV55-C3V3.115	Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
GSIB2560-E3/45		VISHAY
GSIB2560-E3/45		Vishay/General Semiconductor
GSIB2560-E3/45		GENERAL SEMICONDUCTOR	300
GSIB2560-E3/45
SK02-111006NL		SK
SK02-111006NL		SAK	6 856	115.77
SK02-111006NL		TWN
SK02-111006NL		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
SK02-111006NL		КИТАЙ
SK02-111006NL
SK02-111006NL		ТАЙВАНЬ
SK02-111006NL		KLS
UC3842BN	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ST MICROELECTRONICS	120	53.88
UC3842BN	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	UTC
UC3842BN	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8		11	55.50
UC3842BN	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	STMicroelectronics
UC3842BN	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ON Semiconductor
UC3842BN	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	КИТАЙ
UC3842BN	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	ST MICROELECTRO
UC3842BN	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	1
UC3842BN	ШИМ контроллер (регулировка по току) 1А, 11.5....30В, 500кГц, DIP8	4-7 НЕДЕЛЬ	60
КТ315Д ЖЕЛТ.	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ...
КТ315Д ЖЕЛТ.	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ...	НАЛЬЧИК	400	2.12
КТ315Д ЖЕЛТ.	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ...	1900