100МКФ25В(5X11)105°C

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0.047UF X 160V (CL11)		КИТАЙ
0.047UF X 160V (CL11)		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
0.047UF X 160V (CL11)		ANYWAY	39 200	4.13
200PFX50VSL,		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
200PFX50VSL,		CEIEC
КТ3102ДМ				4.72
КТ3102ДМ		КРЕМНИЙ	692	12.49
КТ3102ДМ		СВЕТЛАНА
КТ3102ДМ		АЛЕКСАНДРОВ
КТ3102ДМ		БРЯНСК
КТ3102ДМ		МИНСК
КТ3102ДМ		RUS
КТ3102ДМ		ЭЛЕКС	28	3.61
КТ3102ДМ		ИНТЕГРАЛ
КТ3102ДМ		35
КТ3107Б	Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...		714	9.94
КТ3107Б	Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	КРЕМНИЙ	800	12.49
КТ3107Б	Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	СВЕТЛАНА
КТ3107Б	Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	МИНСК
КТ3107Б	Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	БРЯНСК	293	10.74
КТ3107Б	Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	НАЛЬЧИК
КТ3107Б	Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	РИГА
КТ3107Б	Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	АЛЕКСАНДРОВ
КТ3107Б	Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	RUS
КТ3107Б	Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	ИНТЕГРАЛ
КТ3107Б	Транзистор структуры PNP, усилительный, высокочастотный, с нормированным ...	1512
МБМ-0.1МКФ160В(10%)