| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BI TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
|
|
56.00
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
3266W-1-103 |
|
Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``
|
BOCHEN
|
6 525
|
16.00
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
NXP
|
800
|
8.59
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
NXP
|
2 459
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
SHIKUES
|
15 667
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
BC847 |
|
маломощные N-P-N транзисторы с большим коэффициентом усиления ("супербетта")(Uce=45V, ...
|
JSCJ
|
877 358
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
IRF1310N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 42A, 120W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF1310N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 42A, 120W
|
|
|
119.20
|
|
|
|
IRF1310N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 42A, 120W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF1310N |
|
Транзистор полевой N-MOS 100V, 42A, 120W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
PS2501-1-A |
|
Оптопара, 1 канал, коэф.передачи=80:600%, Iпр=80мА, Uкэ=80В, Uизол=5000В AC, 4-pin ...
|
NEC
|
|
|
|
|
|
|
PS2501-1-A |
|
Оптопара, 1 канал, коэф.передачи=80:600%, Iпр=80мА, Uкэ=80В, Uизол=5000В AC, 4-pin ...
|
RENESAS
|
30
|
25.37
|
|
|
|
|
PS2501-1-A |
|
Оптопара, 1 канал, коэф.передачи=80:600%, Iпр=80мА, Uкэ=80В, Uизол=5000В AC, 4-pin ...
|
NEC ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
PS2501-1-A |
|
Оптопара, 1 канал, коэф.передачи=80:600%, Iпр=80мА, Uкэ=80В, Uизол=5000В AC, 4-pin ...
|
|
1
|
49.14
|
|
|
|
|
PS2501-1-A |
|
Оптопара, 1 канал, коэф.передачи=80:600%, Iпр=80мА, Uкэ=80В, Uизол=5000В AC, 4-pin ...
|
NEC ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
PS2501-1-A |
|
Оптопара, 1 канал, коэф.передачи=80:600%, Iпр=80мА, Uкэ=80В, Uизол=5000В AC, 4-pin ...
|
CEL
|
|
|
|
|
|
|
PS2501-1-A |
|
Оптопара, 1 канал, коэф.передачи=80:600%, Iпр=80мА, Uкэ=80В, Uизол=5000В AC, 4-pin ...
|
RENESAS
|
4
|
|
|
|
|
|
PS2501-1-A |
|
Оптопара, 1 канал, коэф.передачи=80:600%, Iпр=80мА, Uкэ=80В, Uизол=5000В AC, 4-pin ...
|
38
|
|
|
|
|
|
|
ДШИ-200-2-2ДВИГ.ШАГ. |
|
|
|
|
|
|