MUN5311DW1T1
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
|
MUN5311DW1T1 (ON SEMICONDUCTOR.) |
1 588 |
3-4 недели Цена по запросу
|
TRANS BRT DUAL 100MA 50V SOT363
|
Технические характеристики MUN5311DW1T1
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Product Change Notification | Wire Change 08/Jun/2009 |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10K |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Power - Max | 250mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | SOT-363 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru