|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SC3264 |
|
Транзистор S-N, 230В, 17A, MT200
|
SK
|
|
|
|
|
|
2SC3264 |
|
Транзистор S-N, 230В, 17A, MT200
|
SANKEN
|
|
|
|
|
|
2SC3264 |
|
Транзистор S-N, 230В, 17A, MT200
|
|
|
528.00
|
|
|
|
2SC3264 |
|
Транзистор S-N, 230В, 17A, MT200
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
74HCT244N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь неинвертирующий 2 х
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74HCT244N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь неинвертирующий 2 х
|
|
|
19.88
|
|
|
|
74HCT244N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь неинвертирующий 2 х
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HCT244N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь неинвертирующий 2 х
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HCT244N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь неинвертирующий 2 х
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HCT244N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь неинвертирующий 2 х
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HCT244N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь неинвертирующий 2 х
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
74HCT244N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь неинвертирующий 2 х
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
74HCT244N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), Шинный формирователь неинвертирующий 2 х
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
226
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
NS
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
ST MICROELECTRONICS
|
11 234
|
34.10
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
UTC
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
FSC
|
172
|
11.59
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
|
1
|
45.36
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
ONS
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
2 868
|
10.09
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
WS
|
19 584
|
15.62
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
WINGSHING
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
0.00
|
|
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
LUGUANG
|
6 199
|
6.79
|
|
|
|
LM317LZ |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
354
|
|
|
|
|
LM317LZ TO92 |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LM317LZ TO92 |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
LM317LZ TO92 |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
UTC
|
|
|
|
|
|
LM317LZ TO92 |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
NS
|
|
|
|
|
|
LM317LZ TO92 |
|
Стабилизатор напряжения регулируемый Vout=1.2-37V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=40V
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WINBOND
|
352
|
351.29
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
WIN
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
Winbond Electronics
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
NO NAME
|
|
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
|
|
141.80
|
|
|
|
W27C512-45Z |
|
Энергонезависимая память EEPROM 64kx8, 5В, 45нс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
1 257
|
|
|