| Функциональное назначение | гнезда на плату |
| Серия | PBD |
| Количество рядов | 2 |
| Количество контактов в ряду | 6 |
| Шаг контактов,мм | 2.54 |
| Форма контактов | прямые |
| Материал изолятора | полимер усиленный стекловолокном |
| Сопротивление изолятора не менее,МОм | 500 |
| Материал контактов | фосфористая бронза |
| Покрытие контактов | золото |
| Сопротивление контактов не более,Ом | 0.01 |
| Рабочий ток,А | 1 |
| Рабочее напряжение,В | 500 |
| Предельное напряжение не менее,В | 1500 В перем.тока в течение 1 мин. |
| Способ монтажа | пайка в отверстия на плате |
| Рабочая температура,°С | -55…140 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
0805-200K 1% |
|
ЧИП — резистор
|
|
|
1.08
>500 шт. 0.36
|
|
 |
 |
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
|
8 380
|
1.06
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
WTE
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
MIC
|
2 416
|
1.04
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
SUNTAN
|
1 176
|
2.42
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YJ
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
CTK
|
201
|
4.50
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KOME
|
4 502
|
2.29
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
|
HER108 |
|
Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления
|
RUME
|
8 000
|
1.52
|
|
|
|
|
KBU6G |
|
Мост 6А, 400В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
KBU6G |
|
Мост 6А, 400В
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
KBU6G |
|
Мост 6А, 400В
|
|
|
115.60
|
|
|
|
|
KBU6G |
|
Мост 6А, 400В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
KBU6G |
|
Мост 6А, 400В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
KBU6G |
|
Мост 6А, 400В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
KBU6G |
|
Мост 6А, 400В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
KBU6G |
|
Мост 6А, 400В
|
MIC
|
|
|
|
|
|
|
KBU6G |
|
Мост 6А, 400В
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
|
RN55C1003FRE6 |
|
|
Vishay/Dale
|
|
|
|
|
|
|
RN55C1003FRE6 |
|
|
DALE
|
|
|
|
|
|
|
КВАРЦ 16 MHZ HC49SM |
|
Кварцевый резонатор 16МГц, HC49SM
|
|
|
|
|
Версия для печати
