MMUN2232LT1G

Версия для печати

Технические характеристики MMUN2232LT1G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Resistor - Base (R1) (Ohms)	4.7K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	4.7K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	15 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max)	500nA
Power - Max	246mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3
Product Change Notification	Wire Change 14/Oct/2008 Possible Adhesion Issue 11/July/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BZX84-C5V1.215	Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V	NXP
BZX84-C5V1.215	Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V	NEX-NXP
BZX84-C5V1.215	Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V	NEXPERIA
BZX84-C5V1.215	Стабилитрон универсальный SMD 0.225 Вт, 5.1 V
KPBD-3224ESGC	SMD индикатор	KB
KPBD-3224ESGC	SMD индикатор	KINGBRIGHT
KPBD-3224ESGC	SMD индикатор			15.28
KPBD-3224ESGC	SMD индикатор	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
KPBD-3224ESGC	SMD индикатор	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
KPBD-3224ESGC	SMD индикатор	КИТАЙ
KPBD-3224ESGC	SMD индикатор	KGB	72 534	14.65
LP2985AIM5-5.0		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LP2985AIM5-5.0			8	27.75
LP2985AIM5-5.0		NSC
LP2985AIM5-5.0		NATIONAL SEMICONDUCTOR	334
LP2985AIM5-5.0		ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
LP2985AIM5-5.0		TEXAS INSTRUMENTS
LP2985AIM5-5.0		4-7 НЕДЕЛЬ	494
NCP1014AP100G		ON SEMICONDUCTOR
NCP1014AP100G		ONS
NCP1014AP100G				92.12
NCP1014AP100G		4-7 НЕДЕЛЬ	368
SRR1208-222KL		BOURNS
SRR1208-222KL				71.20