Версия для печати
Технические характеристики TAJA105K016RNJ

Номинальное напряжение	16 В
Емкость	1 мкФ
Серия	TAJ
Корпус (размер)	3216-18
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Электролитический танталовый
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Product Change Notification	TAJ Series Suffix Change 08/Dec/2008
Допустимые отклонения емкости	±10%
Tolerance	±10%
ESR (Equivalent Series Resistance)	11.00 Ohm
Тип	Molded
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Size / Dimension	0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm)
Высота	0.071" (1.80mm)
Manufacturer Size Code	A
Возможности	General Purpose

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Электролитический танталовый

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LESHAN RADIO COMPANY
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS	1	1.51
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		3 614	2.00
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LESHAN RADIO COMPANY, LTD
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTOR	11 847
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ON SEMICONDUCTO
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMICONDUCTOR
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMI
		BAV99LT1G		2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FUXIN	149 816	1.46  >100 шт.   0.73
		CC0603KRX7R9BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603	YAGEO	11 496 252	0.75  >1000 шт.   0.15
		CC0603KRX7R9BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603	PHY
		CC0603KRX7R9BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603		3
		CC0603KRX7R9BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		CC0603KRX7R9BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		CC0603KRX7R9BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603	YAGEO	2 206
		CC0603KRX7R9BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603	СКЛАД
		CC0603KRX7R9BB104		Керамический ЧИП конденсатор 0.1 мкФ, Х7R, 10%, 0603	PHYCOMP
		NRF24L01P-R			NORDIC	7 776	83.20
		NRF24L01P-R
		NRF24L01P-R			NORDIC SEMICONDUCTOR
		RC0603JR-07180RL			YAGEO	162 314	0.70  >1000 шт.   0.14
		RC0603JR-07180RL			YAGEO
		RC0603JR-07180RL
		STM32F100R6T6B			ST MICROELECTRONICS
		STM32F100R6T6B			STMicroelectronics
		STM32F100R6T6B			ST MICROELECTRONICS SEMI
		STM32F100R6T6B			КИТАЙ
		STM32F100R6T6B
		STM32F100R6T6B			4-7 НЕДЕЛЬ	485

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"