| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
ST MICROELECTRONICS
|
809
|
40.60
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
TOBE
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
|
1 880
|
21.02
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
Microsemi Commercial Components Group
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
ZH
|
6 640
|
14.70
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
YIXING
|
|
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
LGE
|
268
|
25.52
|
|
|
|
TIP122 |
|
Транзистор биполярный — составной NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)
|
HXY
|
394
|
15.64
|
|
|
|
КТ3102ГМ |
|
|
|
3 448
|
5.15
|
|
|
|
КТ3102ГМ |
|
|
КРЕМНИЙ
|
932
|
11.71
|
|
|
|
КТ3102ГМ |
|
|
МИНСК
|
1 600
|
14.84
|
|
|
|
КТ3102ГМ |
|
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3102ГМ |
|
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
1 648
|
8.48
|
|
|
|
КТ3102ГМ |
|
|
БРЯНСК
|
4 840
|
12.72
|
|
|
|
КТ3102ГМ |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
10
|
7.87
|
|
|
|
КТ3102ГМ |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3102ГМ |
|
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ3102ГМ |
|
|
2000
|
|
|
|
|
|
КТ3102ГМ |
|
|
235
|
|
|
|
|
|
КТ3102ГМ |
|
|
5835
|
|
|
|
|
|
КТ3102ГМ |
|
|
920
|
|
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
|
773
|
8.00
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
КРЕМНИЙ
|
880
|
11.71
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
СВЕТЛАНА
|
20 890
|
4.24
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
РИГА
|
4 388
|
4.24
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
2076
|
|
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
26113
|
|
|
|
|
|
КТ3107Г |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ...
|
3429
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
208
|
29.44
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
400
|
32.79
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
4 014
|
38.16
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
1150
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
3240
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
ДНЕПР
|
965
|
212.00
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
|
383
|
185.00
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
СЗТП
|
52
|
530.94
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
САПФИР
|
|
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
ПО "ДНЕПР"
|
228
|
299.63
|
|
|
|
КЦ407А |
|
Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.
|
20
|
|
|
|