| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
ADUM1400ARWZ-RL |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
ADUM1400ARWZ-RL |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
ADUM1400ARWZ-RL |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
ADUM1400ARWZ-RL |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
AD1
|
|
|
|
|
|
|
ADUM1400ARWZ-RL |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
|
|
|
|
|
|
|
ADUM1400ARWZ-RL |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
ADUM1400ARWZ-RL |
|
Гальваническая развязка для цифровых линий 4 канала, прямой/обратный канал=4/0, 100M ...
|
ADI
|
|
|
|
|
|
|
LM-NP-1001-B1L |
|
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
|
LM-NP-1001-B1L |
|
|
|
|
316.80
|
|
|
|
|
W01M |
|
Диодный мост 1.5A/100V
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
W01M |
|
Диодный мост 1.5A/100V
|
DC COMPONENTS
|
6 008
|
6.88
|
|
|
|
|
W01M |
|
Диодный мост 1.5A/100V
|
|
|
18.08
|
|
|
|
|
W01M |
|
Диодный мост 1.5A/100V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
W01M |
|
Диодный мост 1.5A/100V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
W01M |
|
Диодный мост 1.5A/100V
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
W01M |
|
Диодный мост 1.5A/100V
|
KINGTRONIC
|
|
|
|
|
|
|
W01M |
|
Диодный мост 1.5A/100V
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
W01M |
|
Диодный мост 1.5A/100V
|
KEEN SIDE
|
1 680
|
6.75
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
|
1 336
|
11.34
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
СЗТП
|
80
|
15.62
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
ЦВЕТОТРОН
|
504
|
67.16
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КД521А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный импульсный 75В, 50мА, 0,004мкс, 4пФ
|
1
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
|
2 607
|
18.90
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
1 072
|
34.10
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
МИНСК
|
6 568
|
14.32
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
БРЯНСК
|
4 217
|
14.32
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ИНТЕГРАЛ
|
37
|
12.49
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
2480
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
3
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
400
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
4356
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
595
|
|
|
|
|
|
|
КТ503Е |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
6447
|
|
|
|
Версия для печати
