BZV55-C6V2.115

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BZV55-C6V2.115 (NEX-NXP)	20 355	3.65

Версия для печати

Технические характеристики BZV55-C6V2.115

Производитель	NXP
Количество в упаковке	2500 шт.
Вес	0.062 г
Voltage - Withstanding	6.2 В
Voltage - Working	64 мА
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	10 Ом
Voltage Range	5 мА
Корпус (размер)	SOD80
Рабочая температура	-65...200 °C

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ATMEGA2560V-8AU	Микропроцессоры AVR 256K-Flash/8K-RAM/4K-EEPROM + 8x10 ADC, Uпит.=1,8..5,5V Pb free	ATMEL
ATMEGA2560V-8AU	Микропроцессоры AVR 256K-Flash/8K-RAM/4K-EEPROM + 8x10 ADC, Uпит.=1,8..5,5V Pb free			1 397.32
ATMEGA2560V-8AU	Микропроцессоры AVR 256K-Flash/8K-RAM/4K-EEPROM + 8x10 ADC, Uпит.=1,8..5,5V Pb free	США
ATMEGA2560V-8AU	Микропроцессоры AVR 256K-Flash/8K-RAM/4K-EEPROM + 8x10 ADC, Uпит.=1,8..5,5V Pb free	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
ATMEGA2560V-8AU	Микропроцессоры AVR 256K-Flash/8K-RAM/4K-EEPROM + 8x10 ADC, Uпит.=1,8..5,5V Pb free	ATMEL CORPORATION
ATMEGA2560V-8AU	Микропроцессоры AVR 256K-Flash/8K-RAM/4K-EEPROM + 8x10 ADC, Uпит.=1,8..5,5V Pb free	MICRO CHIP
ATMEGA2560V-8AU	Микропроцессоры AVR 256K-Flash/8K-RAM/4K-EEPROM + 8x10 ADC, Uпит.=1,8..5,5V Pb free	4-7 НЕДЕЛЬ	644
BZV55-C2V4.115		NXP
BZV55-C2V4.115		NEX-NXP
BZV55-C2V4.115
BZV55-C3V3.115	Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	NXP
BZV55-C3V3.115	Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В	NEX-NXP
BZV55-C3V3.115	Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
LM2596S-3.3		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM2596S-3.3			319	200.00
LM2596S-3.3		NSC	4	472.38
LM2596S-3.3		NATIONAL SEMIC
LM2596S-3.3		TEXAS INSTRUMENTS
LM2596S-3.3		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM2596S-3.3		YOUTAI	143	41.59
LM2596S-3.3		4-7 НЕДЕЛЬ	596
КТ315Д ЖЕЛТ.	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ...
КТ315Д ЖЕЛТ.	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ...	НАЛЬЧИК
КТ315Д ЖЕЛТ.	Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ...	1900