К10-17Б ИМП. 0.15МКФ Y5V,+80-20%,0805
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
АЛ307ЕМ ЖЕЛТ. |
|
Светодиод желтый, круглый, 5мм, 1.5мКд, 2.5В | СТАРТ |
|
|
|
| КД522Б1 | САРАНСК |
|
|
|||||
| КД522Б1 |
|
|
||||||
| КД522Б1 |
|
|
||||||
 |
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | 910 | 23.00 | ||
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | КРЕМНИЙ | 2 228 | 25.12 | |
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | БРЯНСК | 61 512 | 33.60 | |
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
|
|
|
КТ814В |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный | САРАНСК |
|
|
|
| С2-33Н-0,125-8,2ОМ | 38 |
1.28 >100 шт. 0.64 |
||||||
| СП4-1А 0.5 А 2-12 20% 100К | РЕЗИСТОР |
|
|
|||||
| СП4-1А 0.5 А 2-12 20% 100К |
|
|
