|
MOSFET N-CH 200V 60A TO-263 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | Trench™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 500mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 60A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 73nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4530pF @ 25V |
| Power - Max | 500W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | TO-263 |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
IRFP9140 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100V, 21A, 180W) | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRFP9140 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100V, 21A, 180W) | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
IRFP9140 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100V, 21A, 180W) |
|
123.16 | ||
|
|
|
IRFP9140 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET (100V, 21A, 180W) | Vishay/Siliconix |
|
|
|
|
|
IXTA50N25T |
|
IXYS |
|
|
|||
|
|
IXTA50N25T |
|
|
|
||||
| UTC2003 |
|
|
||||||
| UTC2003 |
|
|
||||||
| UTC2003 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 300 |
|
|||||
|
|
|
КТ808А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP переключательный | 1 | 368.00 | ||
|
|
|
КТ808А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP переключательный | УЛЬЯНОВСК |
|
|