BAV70S,115
|
DIODE ARRAY 100V 250MA SOT363 |
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500nA @ 80V |
| Current - Average Rectified (Io) (per Diode) | 250mA (DC) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Diode Configuration | 2 Pair Common Cathode |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Корпус | SOT-363 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HD64F3664HV | HITACHI |
|
|
|||||
| HD64F3664HV | RENESAS |
|
|
|||||
| HD64F3664HV |
|
1 884.00 | ||||||
| HD64F3664HV | RENESAS |
|
|
|||||
| HD64F3664HV | Renesas Electronics America |
|
|
|||||
| HD64F3664HV | RENESAS ELECTRONICS CORPORATION |
|
|
|||||
| HD64F3664HV | RENESAS ELECTRONICS |
|
|
|||||
| HD64F3664HV | 4-7 НЕДЕЛЬ | 493 |
|
|||||
 |
LP2980AIM5-3.3 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LP2980AIM5-3.3 |
|
38.40 | |||||
|
|
LP2980AIM5-3.3 | NSC |
|
|
||||
|
|
LP2980AIM5-3.3 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LP2980AIM5-3.3 | ВЕЛИКОБРИТАНИЯ |
|
|
||||
|
|
LP2980AIM5-3.3 | TEXAS INSTRUMENTS | 1 | 44.35 | ||||
|
|
LP2980AIM5-3.3 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 112 |
|
||||
| SAS-431KD0 (430В,10%,50ДЖ,D=7ММ) |
|
|
||||||
| SAS-431KD10 |
|
|
||||||
| SAS-431KD10 |
|
|
||||||
| SN74LVC2G07DBVR | TEXAS INSTRUMENTS | 3 | 39.22 | |||||
| SN74LVC2G07DBVR | 1 863 | 6.94 | ||||||
| SN74LVC2G07DBVR | TEXAS INSTRUMENTS | 1 344 |
|
|||||
| SN74LVC2G07DBVR | TEXAS | 5 144 | 12.56 | |||||
| SN74LVC2G07DBVR | FULIHAO TECH | 360 | 9.30 | |||||
| SN74LVC2G07DBVR | YOUTAI | 3 516 | 2.90 | |||||
| SN74LVC2G07DBVR | 4-7 НЕДЕЛЬ | 440 |
|
