FDA59N30
|
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 59A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56 mOhm @ 29.5A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | UniFET™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4670pF @ 25V |
| Power - Max | 500W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-3PN |
| Корпус | TO-3PN |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
IRG4PH50UD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50UD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный |
|
660.00 | ||
|
|
|
IRG4PH50UD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | МЕКСИКА |
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50UD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50UD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | UNKNOWN | 69 | 726.00 |
