BF1012
Транзистор биполярный малой мощности
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BF1012W (N-канальные транзисторные модули) SILICON N-CHANNEL MOSFET TETRODE (For low-noise, gain-controlled input stages up to 1 GHz)
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BCV48E6327 | INFINEON |
|
|
|||||
| BCV48E6327 |
|
|
||||||
| BCV49E6327 |
|
PNP-Darl 60V 0,5A 1W | INFINEON |
|
|
|||
| BCV49E6327 |
|
PNP-Darl 60V 0,5A 1W |
|
|
||||
| BCV61C/T1 | NXP |
|
|
|||||
| BCV62C/T1 | NXP |
|
|
|||||
 |
 |
BF961 |
|
Транзистор N-FT-DG, 20В, 0.03A, TO50 | SIEMENS |
|
|
|
|
|
|
BF961 |
|
Транзистор N-FT-DG, 20В, 0.03A, TO50 |
|
58.40 |
