DG142R-5.08-03P (FB142R)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
DG141V-2.54-03P-14-00AH		DEGSON ELECTRONICS
DG141V-2.54-03P-14-00AH
TDA2030L-TB5-T		UTC	12 727	20.66
TDA2030L-TB5-T			270	75.60
TDA2030L-TB5-T		1
КР574УД2А	Сдвоенный операционный усилитель средней точности с большим входным сопротивлением, ...			144.00
КР574УД2А	Сдвоенный операционный усилитель средней точности с большим входным сопротивлением, ...	МИКРО-М	162	154.98
КР574УД2А	Сдвоенный операционный усилитель средней точности с большим входным сопротивлением, ...	ТОНДИ	1 600	58.59
КР574УД2А	Сдвоенный операционный усилитель средней точности с большим входным сопротивлением, ...	RUS
КР574УД2А	Сдвоенный операционный усилитель средней точности с большим входным сопротивлением, ...	МИКРОМ
КР574УД2А	Сдвоенный операционный усилитель средней точности с большим входным сопротивлением, ...	ТЭЗ
КР597СА2 (87-92Г)
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный		576	11.96
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	МИНСК	6 539	16.80
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП МИНСК
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	БРЯНСК	520	8.40
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ-С
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	RUS
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	КРЕМНИЙ	800	10.21
КТ3117А1	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ТРАНЗИСТОР	1 520	48.56