|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ATMEGA644P-20AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер с низким потребл. (64K ISP Flash, Vcc=2,75,5V, -40 to ...
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
ATMEGA644P-20AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер с низким потребл. (64K ISP Flash, Vcc=2,75,5V, -40 to ...
|
|
|
880.00
|
|
|
|
ATMEGA644P-20AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер с низким потребл. (64K ISP Flash, Vcc=2,75,5V, -40 to ...
|
ATMEL CORPORATION
|
21
|
|
|
|
|
ATMEGA644P-20AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер с низким потребл. (64K ISP Flash, Vcc=2,75,5V, -40 to ...
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
ATMEGA644P-20AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер с низким потребл. (64K ISP Flash, Vcc=2,75,5V, -40 to ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
568
|
|
|
|
|
ATTINY44-20SSU |
|
ISP-MC 8 BIT 2,7-5,5V 4K-Flash 20MHz
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
ATTINY44-20SSU |
|
ISP-MC 8 BIT 2,7-5,5V 4K-Flash 20MHz
|
|
|
266.00
|
|
|
|
ATTINY44-20SSU |
|
ISP-MC 8 BIT 2,7-5,5V 4K-Flash 20MHz
|
ATMEL CORPORATION
|
|
|
|
|
|
ATTINY44-20SSU |
|
ISP-MC 8 BIT 2,7-5,5V 4K-Flash 20MHz
|
США
|
|
|
|
|
|
ATTINY44-20SSU |
|
ISP-MC 8 BIT 2,7-5,5V 4K-Flash 20MHz
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ATTINY44-20SSU |
|
ISP-MC 8 BIT 2,7-5,5V 4K-Flash 20MHz
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
ATTINY44-20SSU |
|
ISP-MC 8 BIT 2,7-5,5V 4K-Flash 20MHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
108
|
|
|
|
|
HMC1021Z-RC |
|
Магниторезистивный датчик напряженности магнитного поля, 1 ось, 1100 Ом, -55:+150°С
|
HONEYWELL
|
|
|
|
|
|
HMC1021Z-RC |
|
Магниторезистивный датчик напряженности магнитного поля, 1 ось, 1100 Ом, -55:+150°С
|
HONEY
|
|
|
|
|
|
HMC1021Z-RC |
|
Магниторезистивный датчик напряженности магнитного поля, 1 ось, 1100 Ом, -55:+150°С
|
Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
|
|
|
|
|
|
HMC1021Z-RC |
|
Магниторезистивный датчик напряженности магнитного поля, 1 ось, 1100 Ом, -55:+150°С
|
HONEYWELL
|
|
|
|
|
|
HMC1021Z-RC |
|
Магниторезистивный датчик напряженности магнитного поля, 1 ось, 1100 Ом, -55:+150°С
|
|
|
2 045.20
|
|
|
|
HMC1021Z-RC |
|
Магниторезистивный датчик напряженности магнитного поля, 1 ось, 1100 Ом, -55:+150°С
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
306
|
|
|
|
|
UC3844BD1 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
UC3844BD1 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
26
|
68.04
|
|
|
|
UC3844BD1 |
|
|
|
|
52.00
|
|
|
|
UC3844BD1 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
256
|
|
|
|
|
UC3844BD1 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
UC3844BD1 |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
UC3844BD1 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
213
|
|
|
|
|
UC3844BN |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
400
|
49.14
|
|
|
|
UC3844BN |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
UC3844BN |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
UC3844BN |
|
|
|
51
|
50.43
|
|
|
|
UC3844BN |
|
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
UC3844BN |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
8
|
|
|
|
|
UC3844BN |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
UC3844BN |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
UC3844BN |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
UC3844BN |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
UC3844BN |
|
|
ST1
|
|
|
|
|
|
UC3844BN |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
UC3844BN |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
272
|
|
|