|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DC COMPONENTS
|
1 508
|
3.69
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DIOTEC
|
11 728
|
4.07
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
КИТАЙ
|
912
|
3.10
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
МИНСК
|
2 052
|
4.20
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
|
3 200
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
HOTTECH
|
49 471
|
0.65
>1000 шт. 0.13
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
LGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CHINA
|
22 400
|
1.03
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CJ
|
4 604
|
2.14
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KEEN SIDE
|
80
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MERRYELC
|
2 000
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
|
6 256
|
12.92
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
105
|
16.80
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИНДИЯ
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
PILIPINES
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHANGJIANG
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
640
|
10.33
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
JSCJ
|
6 907
|
5.89
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИМОРТ
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
NXP
|
560
|
3.58
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
80
|
26.46
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
|
1 312
|
8.09
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
TRR
|
|
|
|
|
|
BD140 |
|
Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц
|
JSCJ
|
2 955
|
7.16
|
|
|
|
BZX55C5V1 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5Вт
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V1 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V1 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V1 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5Вт
|
SENSITRON
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V1 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V1 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V1 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V1 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5Вт
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V1 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V1 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5Вт
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V1 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5Вт
|
FAIRCHILD
|
17 713
|
|
|
|
|
BZX55C5V1 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V1 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5Вт
|
OTHER
|
3 864
|
|
|
|
|
BZX55C5V1 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5Вт
|
PHILIPS
|
24 700
|
|
|
|
|
BZX55C5V1 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5Вт
|
SENSITRON
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V1 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5Вт
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V1 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V1 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5Вт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V1 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5Вт
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V1 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5Вт
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V1 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5Вт
|
|
21 503
|
1.36
|
|
|
|
BZX55C5V1 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V1 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5Вт
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V1 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5Вт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V1 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5Вт
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V1 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5Вт
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V1 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5Вт
|
HOTTECH
|
1 280
|
2.07
|
|
|
|
BZX55C5V1 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5Вт
|
SEMTECH
|
46
|
1.31
|
|
|
|
BZX55C5V1 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V1 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5Вт
|
RUME
|
8 000
|
1.20
>100 шт. 0.60
|
|
|
|
BZX55C5V1 |
|
Cтабилитрон универсальный 0.5Вт
|
ASEMI
|
13 817
|
1.22
|
|
|
|
PCHSN-10 |
|
Шестигранная стойка для печатных плат, М3, латунь
|
|
101 208
|
5.59
|
|
|
|
PCHSN-10 |
|
Шестигранная стойка для печатных плат, М3, латунь
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
PCHSN-10 |
|
Шестигранная стойка для печатных плат, М3, латунь
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
PCHSN-10 |
|
Шестигранная стойка для печатных плат, М3, латунь
|
KLS
|
192 000
|
10.33
|
|
|
|
PCHSN-10 |
|
Шестигранная стойка для печатных плат, М3, латунь
|
TAIYI
|
|
|
|
|
|
PCHSN-10 |
|
Шестигранная стойка для печатных плат, М3, латунь
|
КИТАЙ
|
620
|
8.64
|
|
|
|
PCHSN-10 |
|
Шестигранная стойка для печатных плат, М3, латунь
|
RUICHI
|
10 580
|
5.90
|
|
|
|
PCHSN-10 |
|
Шестигранная стойка для печатных плат, М3, латунь
|
KEEN SIDE
|
27 491
|
4.48
|
|