|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.8 mOhm @ 25A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 43A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1150pF @ 50V |
| Power - Max | 71W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
|
IRFS3806PBF (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 103AT-2 | SEMITEC | 2 043 | 23.30 | |||||
| 103AT-2 | SEMITEC |
|
|
|||||
| 103AT-2 |
|
|
||||||
|
|
|
CRCW060324K9FKEA |
|
Резистор чип , пленочный 24.9кОм, 100мВт, 1%,75В | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
CRCW060324K9FKEA |
|
Резистор чип , пленочный 24.9кОм, 100мВт, 1%,75В | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
CRCW060324K9FKEA |
|
Резистор чип , пленочный 24.9кОм, 100мВт, 1%,75В | Vishay/Dale |
|
|
|
|
|
|
CRCW060324K9FKEA |
|
Резистор чип , пленочный 24.9кОм, 100мВт, 1%,75В |
|
|
||
|
|
|
CRCW060324K9FKEA |
|
Резистор чип , пленочный 24.9кОм, 100мВт, 1%,75В | VIS |
|
|
|
| CRCW06039K53FKEA | VISHAY |
|
|
|||||
| CRCW06039K53FKEA | VISHAY | 2 562 |
|
|||||
| CRCW06039K53FKEA | Vishay/Dale |
|
|
|||||
| RC0603FR-072K49L | YAGEO | 332 377 |
0.70 >1000 шт. 0.14 |
|||||
| RC0603FR-072K49L | YAGEO |
|
|
|||||
| RC0603FR-072K49L |
|
|
||||||
| RC0603FR-0788K7L | YAGEO | 177 960 |
0.40 >1000 шт. 0.08 |
|||||
| RC0603FR-0788K7L | YAGEO | 2 962 |
|
|||||
| RC0603FR-0788K7L | 28 |
|