NTD2955-1G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
NTD2955-1G		168.00

Версия для печати

Технические характеристики NTD2955-1G

Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180 mOhm @ 6A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	12A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	30nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	750pF @ 25V
Power - Max	55W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.